(PR) Infineon Starts World's First 300-Millimeter Power Silicon Carbide (SiC) Wafer Production
Ілюстрація видання TechPowerUp
Як ця новина вийшла в дайджесті
Infineon запустив серійне виробництво потужних напівпровідників на основі кремнієвого карбіду (SiC) на 300-міліметрових пластинах. Це перший у світі подібний завод, що відкриває шлях до масштабування енергоефективних чипів для електромобілів, промисловості й центрів обробки даних
Повний текст — на сайті видання
Ми не передруковуємо статті. Посилання веде напряму до TechPowerUp.
Читати оригінал →
Карта висвітлення
3 видання
· подія розійшлася за 21 год 44 хв
Ми зберігаємо всі посилання, тож видання, яке було першим, видно назавжди, навіть якщо агрегатори про це забудуть.
Як новина потрапила у випуск
Множники, з яких склався ранг
0,59
=
0,90
релевантність
×
0,59
свіжість · 14 год
×
1,15
резонанс · 3 видання
×
1,01
вага джерела
«Новина про виробництво 300-мм SiC пластин Infineon — це подія про апаратне забезпечення і напівпровідники.» — класифікатор, 0,90
Ще з теми Hardware того дня
Увесь випуск за 10 листопада
Усе, що дійшло до випуску того дня, і чому саме воно
До випуску →