Heat-resistant silicon carbide transistors fabricated on 6-inch wafers, moving closer to practical circuits
Ілюстрація видання Tech Xplore
Японські дослідники з Kyoto University створили транзистори з карбіду кремнію, які можуть стабільно працювати при температурі 600°C, що наближає нас до електроніки для екстремальних умов. Нові JFET-структури вперше вдалося виготовити на 6-дюймових підкладках, що відкриває шлях до практичного використання у промисловості, енергетиці й космосі. Це технологічний прорив: кремній не витримує таких температур і швидко деградує, а SiC дозволить створювати надійні пристрої для найскладніших середовищ.
Як новина потрапила у випуск
«Новина про розробку транзисторів з кремнієвого карбіду — це апаратне забезпечення та напівпровідники, отже Hardware.» — класифікатор, 0,90