Hafnium oxide stays stable at 1,562°F, boosting future capacitors, memory and cooling
Як ця новина вийшла в дайджесті
Гафній оксид продемонстрував стабільність при температурі до 1 562°F та у товщині до 0,6 нм, що відкриває перспективи для створення нових типів конденсаторів, пам’яті й систем охолодження без токсичних домішок
Повний текст — на сайті видання
Ми не передруковуємо статті. Посилання веде напряму до Interesting Engineering.
Читати оригінал →
Як новина потрапила у випуск
Множники, з яких склався ранг
0,71
=
0,90
релевантність
×
0,79
свіжість · 6 год
×
1,00
резонанс · 1 видання
×
0,99
вага джерела
«Дослідження властивостей гафнієвого оксиду, що є науковою подією.» — класифікатор, 0,90
Ще з теми Science того дня
Увесь випуск за 26 вересня
Усе, що дійшло до випуску того дня, і чому саме воно
До випуску →